半導体装置の製造方法

Method of manufacturing semiconductor device

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method of manufacturing a semiconductor device which can self-aligningly form a gate electrode having a short gate length by the usual photolithography. SOLUTION: The method comprises a step for forming a source electrode and a drain electrode on an active layer of a semiconductor substrate, a step for depositing a gate metal obliquely to the semiconductor substrate surface without depositing this metal between the source electrode and a gate forming region, forming a mask film on the entire surface, anisotropically a step for etching to form a side wall near the source electrode, a step for and etching off the gate metal to form a gate electrode using the side wall as an etching mask.
(57)【要約】 【課題】 通常のホトリソグラフ法によって、自己整合 的にゲート長の短いゲート電極を形成することができる 製造方法を提供する。 【解決手段】 半導体基板の能動層上に、ソース電極及 びドレイン電極を形成し、このソース電極とゲート形成 領域との間にゲート金属が被着しないように、半導体基 板表面に対して斜め方向から、ゲート金属を被着させ る。その後、全面にマスク膜を形成し、異方性エッチン グを行うことで、ソース電極近傍にサイドウォールを形 成する。このサイドウォールをエッチングマスクとして 使用し、ゲート金属をエッチング除去し、ゲート電極を 形成する。

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